Semiconductor Opaque Fused Silica Elektresch Arc Quarz Crucible

SiO2 Rengheet: 99.99%
Welting Point: 1750 ℃
Aarbechtstemperatur: 1100 ℃ ~ 1450 ℃
benotzt: monokristallin Silizium, Heizbehälter am Halbleiter
Dimensiounen: 6″, 7″, 8″, 9″, 10″, 11″, 12″, 13″, 14″, 16″, 18″, 20″, 22″, 24″, Personnalisatioun verfügbar
8 ″ -D203mm x H153mm (± 3mm)
10 ″ -D254mm x H178mm (± 3mm)
12 ″ -D305mm x H228mm (± 3mm)
14 ″ -D355mm x H254mm (± 3mm)
16 ″ -D404mm x H305mm (± 3mm)
18 ″ -D457mm x H355mm (± 3mm)
20 ″ -D508mm x H381mm (± 3mm)
22 ″ -D558mm x H381mm (± 3mm)
24 ″ -D610mm x H381mm (± 3mm)

All aner Dimensiounen am Customizalbe

description

Semiconductor Opaque Quarz Crucible gemaach duerch elektresch Arc Method ass en onverzichtbar Basismaterial fir monokristallin Silizium a grouss Skala integréiert Circuiten ze produzéieren.

Semiconductor Quarz Crucible kann ëm 1400 C Grad benotzt ginn. Et kann an zwou Zorte ënnerdeelt ginn: kloer an opak. D'Halbleiter opake Quarz Crucible vun der Arc Method ass e wesentlecht Basismaterial fir d'Entwécklung vu grousser integréierte Circuiten. Kloer Hallefleit-Quarz-Kräizen ginn duerch opak Hallefleit-Kräizelen ersat wéinst senger Veraarbechtungsmethod. Hautdesdaags ginn d'Halbleiter elektresch Bogen Quarz Crucibles zu engem Haaptstroum an den entwéckelte Länner vun der Hallefleitindustrie. Et huet vill Virdeeler wéi héich Rengheet, héich Temperatur Resistenz, grouss Gréisst, héich Präzisioun, gutt Hëtzt Erhaalung, Energie spueren a stabil Qualitéit.

Uwendung vum Arc Quartz Crucible:

1. Zeechnen vu monokristallins Silicium

2. Sintering Container vu Faarfphosphor

3. Kreuzfaarf fir Faarfglas Schmelzen

Am Moment gëtt déi weltwäit Silizium eenzeg Kristallproduktioun haaptsächlech vun engem Bogenkriibs benotzt.

Veraarbechtung: Projet Produktioun produzéiere fir Halbleiter Quarz Ronn Krees, d'Haaptprozess Schrëtt enthalen Schimmelfüllung,
Schmelzofen fir ze schmëlzen, fäerdege Produkter, dimensional Inspektioun, Pickling,
Waasserwäschen, Ultrasonic Reinigung, Bariumbeschichtung, Verpackung an de Depôt

Fütterung: füügt den erfuerderlechen High-Purity-Quarzsand an d'Grafitform of, schaaft d'Schimmel an den Schmelzofen

Schmelzen: als éischt zu Staubsaugung, a benotzt duerno dräi Grafitelektroden fir elektresch Bogen ze generéieren, d'Schmelzstadentemperatur vu ronn 1700 Grad Celsius.
deen Deel vum Quarzsandstaub gëtt an dësem Vakuumprozess gefouert, et muss erfaasst a gesammelt ginn

Fäerdegt Produkt: no 30 bis 40 Minutte Schmelzphase gëtt de Bogen zougemaach, de Schimmelofgangsofen.

Gréisst Inspektioun : Benotzt Caliperen a Kaliperen fir d'Gréisst vun de Produkter ze kontrolléieren, a gitt an de nächste Prozess.

Sandbléisung: benotzt Spraypistoul fir Quarzsand op der Uewerfläch ze sprëtzen, benotzt fir d'Vunreinheet op der Uewerfläch ze läschen
spuere Sand, gesammelt vum Stëbsammler no der Verwäertung nach, manuell Operatioun, setzt e spezielle Sandbléistraum op.

Ausschneiden: Nodeems d'Feierwierm Schmelz fäerdeg ass, Huelt d'Schimmel mat dem Schnouer aus dem Schmelzofen.
Den Aarbechter kippt sanft déi baussenzeg Uewerfläch vum Schimmel mat engem Hammer fir de Schnouer vun der Schimmel ze trennen
An. De Schimmel ka weiderbenotzt ginn. Allgemeng kann d'Schimmel méi wéi zéng Mol benotzt ginn.
Schrotbehandlung wann Grafiteschimmel schwéier gekrackt oder deforméiert gëtt.

Inspektioun: manuell Inspektioun op d'Gréisst vun de Wiederkonditiounen

Botzen: Éischt Pickling, d'Drosselen goufen (6% bis 8%) am HF Sauerwäsche-Tank gedeckt, an duerno cricibles fir propper Waasser ze wäschen fir ze wäschen,
endlech Héichdrockreinigung an Ultrasonic Reinigung, entfernt d'Uewerfläch Reschter Ionen.

Bariumbeschichtung: Bariumhydroxidpudder opgeléist a Waasser, cricibles an de Bariumbeschichtter setzen,
benotz Bariumhydroxid gleichméisseg op der Uewerfläch vum bannenzegen Deeler.

Verpackung an Stocking

Fir prompt Zousatz, kontaktéiert eis eis un der Form.

    Unhang Unhang (Max: 3 Dateien)



    Applikatioun:
    Chemical Industries
    Elektrësch Liichtquell
    Laboratoiren
    medizinescht material
    Metallurgie
    Optical
    Photovoltaik
    Photokommunikatioun
    Fuerschung
    Schoulen
    Semiconductor
    Solar